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P10F60HP2

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

P10F60HP2

Power MOSFET

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新電元工業(yè)株式會(huì)社

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多P10F60HP2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-9 14:00:00

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