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P2000DL45X168分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
P2000DL45X168 |
參數(shù)屬性 | P2000DL45X168 封裝/外殼為TO-200AF;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:PRESS PACK IGBT |
功能描述 | Druckkontaktierter IGBT Press Pack IGBT |
封裝外殼 | TO-200AF |
文件大小 |
893.61 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-26 8:14:00 |
P2000DL45X168規(guī)格書詳情
P2000DL45X168屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的P2000DL45X168晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
Features
? Press Pack IGBT with integrated Freewheeling Diode
? Long term Short on Fail behavior
? High dynamic robustness
? High short-circuit capability
? Low VCEsat
? Trench IGBT 3
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
P2000DL45X168HPSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝:
托盤
- IGBT 類型:
溝道
- 配置:
單路
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,2000A
- 輸入:
標準
- NTC 熱敏電阻:
無
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
TO-200AF
- 供應(yīng)商器件封裝:
BG-P16826K-1
- 描述:
PRESS PACK IGBT
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Littelfuse(美國力特) |
23+ |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價 | |||
Littelfuse(美國力特) |
23+ |
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18+ |
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10000 |
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18800 |
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DO-214AC(SMA) |
66688 |
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Infineon |
23+ |
Tray |
500 |
原裝正品 |
詢價 | ||
24+ |
10000 |
詢價 | |||||
16+ |
DO-214AA |
150000 |
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詢價 |