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P2000DL45X168分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

P2000DL45X168
廠商型號

P2000DL45X168

參數(shù)屬性

P2000DL45X168 封裝/外殼為TO-200AF;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:PRESS PACK IGBT

功能描述

Druckkontaktierter IGBT Press Pack IGBT
PRESS PACK IGBT

封裝外殼

TO-200AF

文件大小

893.61 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-26 8:14:00

P2000DL45X168規(guī)格書詳情

P2000DL45X168屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的P2000DL45X168晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

Features

? Press Pack IGBT with integrated Freewheeling Diode

? Long term Short on Fail behavior

? High dynamic robustness

? High short-circuit capability

? Low VCEsat

? Trench IGBT 3

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    P2000DL45X168HPSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 配置:

    單路

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,2000A

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    TO-200AF

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    BG-P16826K-1

  • 描述:

    PRESS PACK IGBT

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