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P25Q16SH-SUH-IT-	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16SH-SUH-IT-D	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導體(上海)股份有限公司	PUYA
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P25Q16SH-SUH-IW-X	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16SH-SUH-IY-	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導體(上海)股份有限公司	PUYA
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P25Q16SH-SUH-KW-	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導體(上海)股份有限公司	PUYA
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