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P25Q16SHA-SUH-IT-D	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	Ultra Low Power, 16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16SHA-SUH-IT-X	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16SHA-SUH-IW-	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16SHA-SUH-IW-D	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16SHA-SUH-IW-X	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16SHA-SUH-IY-	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16SHA-SUH-IY-D	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16SHA-SUH-IY-X	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16SHA-SUH-KR-	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16SHA-SUH-KR-D	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16SHA-SUH-KR-X	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16SHA-SUH-KT-	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16SHA-SUH-KT-D	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16SHA-SUH-KT-X	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
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P25Q16SHA-SUH-KW-D	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
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P25Q16SHA-SUH-KY-	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
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