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P2N2907分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

P2N2907
廠商型號

P2N2907

參數(shù)屬性

P2N2907 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 長體;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 60V 0.6A TO92

功能描述

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3 長體

文件大小

91.94 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Continental Device India Limited
企業(yè)簡稱

CDIL

中文名稱

Continental Device India Limited官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-2-22 17:51:00

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P2N2907規(guī)格書詳情

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

Designed for switching and linear applications, DC amplifier and driver for industrial applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    P2N2907AG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.6V @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 長體

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 0.6A TO92

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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