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P30B10EL

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=30mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

P30B10EL

Power MOSFET

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新電元工業(yè)株式會社

P30B10EL

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

FCH30B10

SchottkyBarrierDiode

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

TCH30B10

SchottkyBarrierDiode

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

TCH30B10

ScokktyBarrierDiode

SBD 30AAvg.100Volts

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

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更多P30B10EL供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 10:06:00