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P3506ET中文資料無錫固電數據手冊PDF規(guī)格書

P3506ET
廠商型號

P3506ET

功能描述

isc P-Channel MOSFET Transistor

文件大小

326.38 Kbytes

頁面數量

2

生產廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-3-20 17:56:00

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P3506ET規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current –ID= -36A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage-

: VDSS= -60V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 35mΩ(Max)@VGS= -10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
P35-0702T
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