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P55NE06中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

P55NE06
廠商型號

P55NE06

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

文件大小

120.96 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體(ST)集團官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載

更新時間

2024-11-6 18:20:00

P55NE06規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturingreproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.019 ?

■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ LOW GATE CHARGE 100 °C

■ HIGH dv/dt CAPABILITY

■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

APPLICATIONS

■ DC MOTOR CONTROL

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS

■ SYNCHRONOUS RECTIFICATION

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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