P55NE06中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
廠商型號 |
P55NE06 |
功能描述 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET |
文件大小 |
120.96 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體(ST)集團官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-6 18:20:00 |
P55NE06規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturingreproducibility.
■ TYPICAL RDS(on) = 0.019 ?
■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
■ 100 AVALANCHE TESTED
■ LOW GATE CHARGE 100 °C
■ HIGH dv/dt CAPABILITY
■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
■ DC MOTOR CONTROL
■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS
■ SYNCHRONOUS RECTIFICATION
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
9856 |
83014498 |
1812 |
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詢價 | ||
VBsemi |
21+ |
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ST(意法) |
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NA |
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門市 |
2018 |
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詢價 | |||
ST/意法 |
23+ |
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VBsemi |
22+23+ |
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8000 |
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ST |
98 |
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詢價 | |||
VBsemi |
24+ |
TO220 |
5000 |
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ST |
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ST |
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