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TMUX6202RQXR

TMUX620x36V,Low-RON,1:1(SPST),1-ChannelPrecisionSwitchWith1.8-VLogic

1Features ?Dualsupplyrange:±4.5Vto±18V ?Singlesupplyrange:4.5Vto36V ?Lowon-resistance:1.2Ω ?Lowchargeinjection:?10pC ?–40°Cto+125°Coperatingtemperature ?IntegratedPull-Downresistoronlogicpins ?1.8Vlogiccompatible ?Fail-safelogic ?Rail-to-railope

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

TSHA6202

GaAlAsInfraredEmittingDiodesin?5mm(T–13/4)Package

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

TSHA6202

InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,875nm,GaAlAs

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

TSHA6202

InfraredEmittingDiode,875nm,GaAlAs

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

TSHA6202

InfraredEmittingDiode

DESCRIPTION TheTSHA620.seriesareinfrared,875nmemittingdiodesinGaAlAstechnology,moldedinaclear,untintedplasticpackage. FEATURES ?Packagetype:leaded ?Packageform:T-1? ?Dimensions(inmm):?5 ?Peakwavelength:λp=875nm ?Highreliability ?Angleofhalfintensity

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

TSHA6202

InfraredEmittingDiode,875nm,GaAlAs

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

TSHA6202

InfraredEmittingDiode,875nm,GaAlAs

DESCRIPTION TheTSHA620.seriesareinfrared,875nmemittingdiodesin GaAlAstechnology,moldedinaclear,untintedplastic package. FEATURES ?Packagetype:leaded ?Packageform:T-1? ?Dimensions(inmm):?5 ?Peakwavelength:λp=875nm ?Highreliability ?Angleofhalfinten

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

TSUS6202

InfraredEmittingDiode,950nm,GaAs

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

UM6202

PINDIODE

DESCRIPTION TheseseriesofPINdiodesaredesignedforapplicationsrequiringsmallpackagesizeandmoderateaveragepowerhandlingcapability.ThelowcapacitanceoftheUM6000andUM6600allowsthemtobeusedasseriesswitchingelementsto1GHz.ThelowresistanceoftheUM6200isuseful

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

UM6202A

ProductChangeNotification

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

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更多P6202供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-9 18:00:00

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