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P9006EVG中文資料百域芯數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

P9006EVG
廠商型號(hào)

P9006EVG

功能描述

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件大小

1.57448 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Bychip百域芯

中文名稱

深圳市百域芯科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-30 17:10:00

P9006EVG規(guī)格書詳情

Features

VDS= - 60V, ID= -12A

RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = -10V

RDS(ON) < 28mΩ @ VGS = -4.5V

General Features

Advanced Trench Technology

Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

Lead Free and Green Available

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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