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VBE16R10	文件：815.94 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel600V(D-S)SuperJunctionPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Serverandtelecompowersupplies ?Switchmodepowersupplies(SMPS) ?Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
VBE16R10S	文件：899.22 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel600V(D-S)SuperJunctionPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Serverandtelecompowersupplies ?Switchmodepowersupplies(SMPS) ?Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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ZMB16R10DIP	文件：489.18 Kbytes Page：2 Pages	HallCurrentSensor Feature ●Halleffectmeasurementprinciple ●MeetUL94-V0standard Application ●Powerfilter ●UPSuninterruptiblepowersupply ●SMPSSwitchedModePowerSupplies ●Electromagneticheating ●PowerDCscreen ●Industrialgrade ●ACfrequencyconversionspeedcontroldevice	MICRO-TRANSFORMERQingxian Zeming Langxi Electronic Devices 擇明朗熙電子青縣擇明朗熙電子器件有限公司	MICRO-TRANSFORMER

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