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PBHV9110DW_R2_00001分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBHV9110DW_R2_00001
廠商型號

PBHV9110DW_R2_00001

參數(shù)屬性

PBHV9110DW_R2_00001 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 100V 1A SOT223

功能描述

PNP Low Vce(sat) Transistor

絲印標識

9110DW

封裝外殼

SOT-223 / TO-261-4,TO-261AA

文件大小

408.12 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Pan Jit International Inc.
企業(yè)簡稱

PANJIT

中文名稱

強茂股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-3 17:08:00

PBHV9110DW_R2_00001規(guī)格書詳情

Features

? Silicon PNP epitaxial type

? Low Vce(sat) -0.35V(max)@Ic/Ib= -500mA / -50mA

? High collector current capability

? Excellent DC current gain characteristics

? Lead free in compliance with EU RoHS 2.0

? Green molding compound as per IEC 61249 Standard

? NPN complement: PBHV8110DW

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBHV9110DW_R2_00001

  • 制造商:

    Panjit International Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    600mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    140 @ 150mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應商器件封裝:

    SOT-223

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 1A SOT223

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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