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PBR941分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PBR941
廠商型號

PBR941

參數(shù)屬性

PBR941 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST

功能描述

RF Manual 16th edition
RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

9.37507 Mbytes

頁面數(shù)量

130

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-11 20:00:00

PBR941規(guī)格書詳情

PBR941屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由恩智浦半導體公司制造生產(chǎn)的PBR941晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PBR941

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    9GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz

  • 增益:

    16dB

  • 功率 - 最大值:

    360mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 5mA,6V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP/恩智浦
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TO-236AB
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