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PBR941分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PBR941
廠商型號

PBR941

參數屬性

PBR941 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產品描述:RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST

功能描述

isc Silicon NPN RF Transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

317.54 Kbytes

頁面數量

2

生產廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-4-29 22:59:00

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PBR941規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· High gain bandwidth product

fT = 8 GHz (Typ) @ VCE=6V,IC=30mA,f=1GHz

· High gain, low noise figure

︱S21e︱2 = 12dB @ VCE=6V,IC=30mA,f=1GHz

NF = 2dB( Typ ) @ VCE=6V,IC=5mA,f=1GHz

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·UHF / VHF wide band amplifier

產品屬性

  • 產品編號:

    PBR941

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    9GHz

  • 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):

    1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz

  • 增益:

    16dB

  • 功率 - 最大值:

    360mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 5mA,6V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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