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PBRN113E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PBRN113E
廠商型號

PBRN113E

參數(shù)屬性

PBRN113E 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3

功能描述

NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW

文件大小

777.77 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-22 23:00:00

PBRN113E規(guī)格書詳情

Features

* 800 mA output current capability

* Low collector-emitter saturation voltage

VCEsat

* High current gain hFE

* Reduces component count

* Built-in bias resistors

* Reduces pick and place costs

* Simplifies circuit design

* ±10 resistor ratio tolerance

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBRN113ES,126

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 300mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.15V @ 8mA,800mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Nexperia(安世)
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