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PBRN113ET分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PBRN113ET
廠商型號

PBRN113ET

參數(shù)屬性

PBRN113ET 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

功能描述

40 V, 600 mA NPN PB RET; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ

絲印標(biāo)識

7G

封裝外殼

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

268.4 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-18 23:00:00

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PBRN113ET規(guī)格書詳情

1. General description

NPN low VCEsat Performance-Based (PB) Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23

(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: PBRP113ET

2. Features and benefits

? 600 mA output current capability

? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High current gain hFE

? Reduces component count

? Built-in bias resistors

? Reduces pick and place costs

? Simplifies circuit design

? ± 10 resistor ratio tolerance

3. Applications

? Digital application in automotive and industrial segments

? Switching loads

? Medium current peripheral driver

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBRN113ET,215

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 300mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.15V @ 8mA,800mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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