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PBRN123YS

Marking：N123YS；Package：SC-43A；NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 kW, R2 = 10 kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN123YS

NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k?? R2 = 10 k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN123YS,126

Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置 描述：TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

PBRN123YT

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN123YT

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN123YT

40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123YT 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN123YT-Q

40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123YT-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRP123ET

PNP800mA,40VBISSRET;R1=2.2kW,R2=2.2kW

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRP123ET

40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123ET 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRP123ET-Q

40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123ET-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    PBRN123YS

  • 制造商：

    PHILIPS

  • 制造商全稱：

    NXP Semiconductors

  • 功能描述：

    NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k?, R2 = 10 k?

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP
22+
NA
45000
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價
NXP USA Inc.
2022+
TO-92-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
NXP USA Inc.
24+
TO-226-3 TO-92-3(TO-226AA)
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
 詢價
Nexperia/安世
17+
SOT-23
3000
原裝正品現(xiàn)貨,可開發(fā)票,假一賠十
 詢價
NXP/恩智浦
24+
QFN
1310
原裝現(xiàn)貨100%現(xiàn)貨
 詢價
TI/德州儀器
23+
SOT-223
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
 詢價
NEXPERIA/安世
2021+
SOT23
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
 詢價
NXP(恩智浦)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持
 詢價
PHI
23+
SOT23-3
4500
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售!
 詢價
NXP/恩智浦
23+
78000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
更多PBRN123YS供應(yīng)商 更新時間2025-2-1 10:08:00

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