PBRP113ET分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書(shū)PDF中文資料

廠商型號(hào) |
PBRP113ET |
參數(shù)屬性 | PBRP113ET 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB |
功能描述 | 40 V, 600 mA PNP PB RET; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
266.62 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-18 18:33:00 |
人工找貨 | PBRP113ET價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PBRP113ET規(guī)格書(shū)詳情
1. General description
PNP low VCEsat Performance-Based (PB) Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23
(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBRN113ET
2. Features and benefits
? 600 mA output current capability
? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
? High current gain hFE
? Reduces component count
? Built-in bias resistors
? Reduces pick and place costs
? Simplifies circuit design
? ±10 resistor ratio tolerance
3. Applications
? Digital application in automotive and industrial segments
? Switching loads
? Medium current peripheral driver
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
PBRP113ET,215
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
PNP - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
130 @ 300mA,5V
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
750mV @ 6mA,600mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
500nA
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-236AB
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
1735+ |
SOT23 |
6528 |
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詢價(jià) | ||
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SOT-23 |
50000 |
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詢價(jià) |