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PBSS301ND分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PBSS301ND
廠商型號

PBSS301ND

參數(shù)屬性

PBSS301ND 封裝/外殼為SC-74,SOT-457;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 20V 4A 6TSOP

功能描述

20 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

封裝外殼

SC-74,SOT-457

文件大小

119.86 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-20 22:59:00

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PBSS301ND規(guī)格書詳情

General description

NPN low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) SMD plastic package.

PNP complement: PBSS301PD.

Features

■ Very low collector-emitter saturation resistance

■ Ultra low collector-emitter saturation voltage

■ 4 A continuous collector current

■ Up to 15 A peak current

■ High efficiency due to less heat generation

Applications

■ Power management functions

■ Charging circuits

■ DC-to-DC conversion

■ MOSFET gate driving

■ Power switches (e.g. motors, fans)

■ Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS301ND,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    420mV @ 600mA,6A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 2A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-74,SOT-457

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-TSOP

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 4A 6TSOP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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