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PBSS303NZ分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS303NZ
廠商型號

PBSS303NZ

參數屬性

PBSS303NZ 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 30V 5.5A SOT223

功能描述

30 V, 5.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

絲印標識

S303NZ

封裝外殼

SC-73 / TO-261-4,TO-261AA

文件大小

286.04 Kbytes

頁面數量

15

生產廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-2-25 10:41:00

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PBSS303NZ規(guī)格書詳情

Features

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability IC and ICM

* High collector current gain (hFE) at high IC

* High efficiency due to less heat generation

* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

產品屬性

  • 產品編號:

    PBSS303NZ,135

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    240mV @ 275mA,5.5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 2A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    130MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應商器件封裝:

    SOT-223

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 5.5A SOT223

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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