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PBSS306PZ-Q中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PBSS306PZ-Q
廠商型號(hào)

PBSS306PZ-Q

功能描述

100 V, 4.1 A PNP low VCEsat transistor

絲印標(biāo)識(shí)

S306PZ

封裝外殼

SC-73

文件大小

290.03 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-8 22:30:00

PBSS306PZ-Q規(guī)格書詳情

1. General description

PNP low VCEsat transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package.

NPN complement: PBSS306NZ-Q

2. Features and benefits

? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability IC and ICM

? High collector current gain (hFE) at high IC

? High efficiency due to less heat generation

? Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

? High-voltage DC-to-DC conversion

? High-voltage MOSFET gate driving

? High-voltage motor control

? High-voltage power switches (e.g. motors, fans)

? Automotive applications

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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