PBSS3515E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
PBSS3515E |
參數(shù)屬性 | PBSS3515E 封裝/外殼為SC-75,SOT-416;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 15V 0.5A SC75 |
功能描述 | 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
封裝外殼 | SC-75,SOT-416 |
文件大小 |
128.13 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-5 17:20:00 |
PBSS3515E規(guī)格書詳情
General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in an ultra small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
Applications
■ DC-to-DC conversion
■ MOSFET gate driving
■ Motor control
■ Charging circuits
■ Low power switches (e.g. motors, fans)
■ Portable applications
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
PBSS3515E,135
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
250mV @ 50mA,500mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
150 @ 100mA,2V
- 頻率 - 躍遷:
280MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SC-75,SOT-416
- 供應(yīng)商器件封裝:
SC-75
- 描述:
TRANS PNP 15V 0.5A SC75
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
24+ |
SMD |
100 |
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NXP |
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