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PBSS4032PT分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS4032PT
廠商型號

PBSS4032PT
參數(shù)屬性

PBSS4032PT 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS PNP 30V 2.4A TO236AB
功能描述

30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

181.22 Kbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp【恩智浦】

中文名稱

恩智浦半導體公司官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-21 11:12:00
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PBSS4032PT規(guī)格書詳情

General description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS4032NT.

Features

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ Optimized switching time

■ High collector current capability IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ High energy efficiency due to less heat generation

■ AEC-Q101 qualified

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications

■ DC-to-DC conversion

■ Battery-driven devices

■ Power management

■ Charging circuits

產品屬性

  • 產品編號：

    PBSS4032PT,215

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    330mV @ 200mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    150 @ 1A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    160MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-236AB

  • 描述：

    TRANS PNP 30V 2.4A TO236AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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