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PBSS4041PZ-Q_V01中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PBSS4041PZ-Q_V01
廠商型號(hào)

PBSS4041PZ-Q_V01

功能描述

60 V, 5.7 A PNP low VCEsat transistor

文件大小

350.43 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-25 9:40:00

PBSS4041PZ-Q_V01規(guī)格書詳情

1. General description

PNP low VCEsat transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD)

plastic package.

NPN complement: PBSS4041NZ-Q

2. Features and benefits

? Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability IC and ICM

? High collector current gain (hFE) at high IC

? High energy efficiency due to less heat generation

? Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

? Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

? Loadswitch

? Battery-driven devices

? Power management

? Charging circuits

? Power switches (e.g. motors, fans)

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