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PBSS4112PAN中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PBSS4112PAN
廠商型號(hào)

PBSS4112PAN

功能描述

120 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor

絲印標(biāo)識(shí)

2R

封裝外殼

DFN2020-6

文件大小

752.26 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-22 23:00:00

PBSS4112PAN規(guī)格書詳情

1.1 General description

NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless

medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN/PNP complement: PBSS4112PANP. PNP/PNP complement: PBSS5112PAP.

1.2 Features and benefits

? Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability IC and ICM

? High collector current gain hFE at high IC

? Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements

? High energy efficiency due to less heat generation

? AEC-Q101 qualified

1.3 Applications

? Load switch

? Battery-driven devices

? Power management

? Charging circuits

? Power switches (e.g. motors, fans)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PBSS4112PAN

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    TRANS NPN/NPN 120V 1A DFN2

  • 功能描述:

    TRANS, NPN/NPN, 120V, 1A, DFN2020-6; Transistor

  • Polarity:

    Dual NPN; Collector Emitter Voltage

  • V(br)ceo:

    120V; Transition Frequency Typ

  • ft:

    120MHz; Power Dissipation

  • Pd:

    2W; DC Collector

  • Current:

    1A; DC Current Gain

  • hFE:

    30; Operating ;RoHS

  • Compliant:

    Yes

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEXPERIA/安世
23+
NA/
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PBSS4112PAN
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3000
詢價(jià)
NXP
2016+
DFN
6523
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