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PBSS4130PAN中文資料恩智浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PBSS4130PAN
廠商型號(hào)

PBSS4130PAN

功能描述

30 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor

文件大小

276.45 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-8 22:58:00

PBSS4130PAN規(guī)格書詳情

General description

NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN/PNP complement: PBSS4130PANP. PNP/PNP complement: PBSS5130PAP.

Features and benefits

? Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability IC and ICM

? High collector current gain hFE at high IC

? Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements

? High energy efficiency due to less heat generation

? AEC-Q101 qualified

Applications

? Load switch

? Battery-driven devices

? Power management

? Charging circuits

? Power switches (e.g. motors, fans)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NXP
2016+
SOT1118
6000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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NXP/恩智浦
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NXP/恩智浦
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現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
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