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PBSS4160DS 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列 NXPSemiconductors

PBSS4160DS參考圖片

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原廠料號：PBSS4160DS品牌：NXPSemiconductors

PBSS4160DS是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列。制造商NXPSemiconductors/Nexperia USA Inc.生產(chǎn)封裝6-TSOP/SC-74，SOT-457的PBSS4160DS晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列雙極晶體管陣列在同一封裝中包含兩個或更多的分立晶體管，這些晶體管可在電氣上完全隔離，也可在器件封裝內(nèi)部以某種形式互連。陣列中包含的器件具有相近或互補的特性，采用共同封裝可最大程度減小器件在工作過程中的溫差。

  • 芯片型號：

    PBSS4160DS

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    NEXPERIA【安世】詳情

  • 廠商全稱：

    Nexperia B.V. All rights reserved

  • 中文名稱：

    安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    15 頁

  • 文件大小：

    329.95 kb

  • 資料說明：

    60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    PBSS4160DSZ

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    2 NPN（雙）

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    1A

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    60V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 100mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    250 @ 1mA，5V

  • 功率 - 最大值：

    700mW

  • 頻率 - 躍遷：

    150MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-74，SOT-457

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    6-TSOP

  • 描述：

    TRANS 2NPN 60V 1A SC-74

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    云小姐/廖小姐

  • 手機：

    19168775913

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-88608801

  • 傳真：

    0755-88608801

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福華社區(qū)福虹路4號華強花園C座7A

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