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PBSS4160T-Q中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PBSS4160T-Q
廠商型號

PBSS4160T-Q

功能描述

60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

文件大小

257.81 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-15 14:23:00

PBSS4160T-Q規(guī)格書詳情

1. General description

NPN low VCEsat transistor in a small SOT23 plastic package. PNP complement: PBSS5160T-Q.

2. Features and benefits

? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability IC and ICM

? High efficiency, reduces heat generation

? Reduces printed-circuit board area required

? Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

? Major application segments:

? Automotive 42 V power

? Telecom infrastructure

? Industrial.

? Power management:

? DC-to-DC conversion

? Supply line switching.

? Peripheral driver

? Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

? Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors).

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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