PBSS4230PAN中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	PBSS4230PAN
功能描述	30 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
文件大小	752.18 Kbytes
頁面數(shù)量	17 頁
生產(chǎn)廠商	Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱	NEXPERIA【安世】
中文名稱	安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-1-5 23:00:00

1. General description

NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless

medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN/PNP complement: PBSS4230PANP. PNP/PNP complement: PBSS5230PAP.

2. Features and benefits

? Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability IC and ICM

? High collector current gain hFE at high IC

? Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements

? High efficiency due to less heat generation

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? Load switch

? Battery-driven devices

? Power management

? Charging circuits

? Power switches (e.g. motors, fans)

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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