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PBSS4330PA分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS4330PA
廠商型號

PBSS4330PA

參數(shù)屬性

PBSS4330PA 封裝/外殼為3-UDFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 30V 3A DFN2020D-3

功能描述

30 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

絲印標識

AH

封裝外殼

DFN2020-3 / 3-UDFN 裸露焊盤

文件大小

707.43 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-5 23:00:00

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PBSS4330PA規(guī)格書詳情

1. General description

NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an

ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with

medium power capability.

PNP complement: PBSS5330PA.

2. Features and benefits

? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability IC and ICM

? Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

? Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity

? Leadless small SMD plastic package with medium power capability

3. Applications

? Loadswitch

? Battery-driven devices

? Power management

? Charging circuits

? Power switches (e.g. motors, fans)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS4330PASX

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 300mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    270 @ 1A,2V

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-UDFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝:

    DFN2020D-3

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 3A DFN2020D-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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