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PBSS4350SPN中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PBSS4350SPN
廠商型號

PBSS4350SPN

功能描述

50 V, 2.7 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor

絲印標(biāo)識

4350SPN

封裝外殼

SO8

文件大小

730.36 Kbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-1 23:00:00

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PBSS4350SPN規(guī)格書詳情

Features

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability IC and ICM

* High collector current gain (hFE) at high IC

* High efficiency due to less heat generation

* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PBSS4350SPN

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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