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PBSS5130QA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PBSS5130QA
廠商型號(hào)

PBSS5130QA

參數(shù)屬性

PBSS5130QA 封裝/外殼為3-XDFN 裸露焊盤;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3

功能描述

30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封裝外殼

3-XDFN 裸露焊盤

文件大小

244.71 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 23:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PBSS5130QAZ

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    240mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    130 @ 1A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    170MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-XDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DFN1010D-3

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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