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PBSS5130QA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PBSS5130QA
廠商型號

PBSS5130QA

參數(shù)屬性

PBSS5130QA 封裝/外殼為3-XDFN 裸露焊盤;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3

功能描述

30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

文件大小

726.66 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-12-23 20:18:00

PBSS5130QA規(guī)格書詳情

1. General description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small

DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible

and solderable side pads.

NPN complement: PBSS4130QA.

2. Features and benefits

? Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability IC and ICM

? High collector current gain hFE at high IC

? High energy efficiency due to less heat generation

? Reduced Printed-Circuit Board (PCB) area requirements

? Solderable side pads

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? Loadswitch

? Battery-driven devices

? Power management

? Charging circuits

? Power switches (e.g. motors, fans)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS5130QAZ

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    240mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    130 @ 1A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    170MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-XDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DFN1010D-3

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NXP
20+
SOT-23
43000
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價(jià)
NEXPERIA/安世
23+
NA
30000
電子元器件供應(yīng)原裝現(xiàn)貨. 優(yōu)質(zhì)獨(dú)立分銷。原廠核心渠道
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NXP/恩智浦
21+
SOT23
3000
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NXP/恩智浦
21+
SOT23
6000
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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SMD
1500
NXP一級代理商原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十
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SOT-23
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