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PBSS5230QA

Marking：000010；Package：DFN1010D-3；30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4230QA. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollector-

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBSS5230QA

30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBSS5230QAZ

Package：3-XDFN 裸露焊盤(pán)；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 30V 2A DFN1010D-3

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

PBSS5230T

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS5230T

30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor

DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageofferingultralowVCEsatandRCEsatparameters. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ?Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration ?Reducedprinted-circuit

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS5230T

20V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor

DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageofferingultralowVCEsatandRCEsatparameters. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ?Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration ?Reducedprinted-circuit

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS5230T

30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor

Featuresandbenefits *Lowcollector-emitersaturationvoltage VCEsat *Highcollectorcurrentcapability: ICandICM *Higherefficiencyleadingtolessheat generation *AEC-Q101qualified

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBSS5230T

PNPGeneralPurposeAmplifier

Features ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Highcurrentcapability ●EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating ●Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix”HF” ●MoisureSensitivityLevel1 ●Marking:W3G Applications ●Supplylineswitchingcircuits ●Batterymanagement ●DC

SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd.

順燁電子江蘇順燁電子有限公司

PJBZ5230Q

500mWZENERSINQFN1.2x1.5mm?

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂股份有限公司

PMBZ5230B

Voltageregulatordiodes

DESCRIPTION Low-powervoltageregulatordiodesinsmallSOT23plasticSMDpackages. Theseriesconsistsof32typeswithnominalworkingvoltagesfrom3.3to75V. FEATURES ?Totalpowerdissipation:max.250mW ?Toleranceseries:±5 ?Workingvoltagerange:nom.3.3to75V ?Non-repetiti

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    PBSS5230QA

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 功能描述：

    TRANS PNP 30V 2A 3DFN

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NEXPERIA
1809+
DFN-3
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NXP
22+
NA
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Nexperia/安世
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SOT1215
100000
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TI/德州儀器
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SOT23-6
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Nexperia(安世)
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SOT-1215
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NXP/恩智浦
2021+
SOT-1118D
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原裝現(xiàn)貨，歡迎詢(xún)價(jià)
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NXP/恩智浦
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SOT-1118D
30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
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NXP/恩智浦
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NXP/恩智浦
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SOT-1118D
8080
公司只做原裝,誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)
 詢(xún)價(jià)
NXP/恩智浦
21+
SOT-1118D
8080
只做原裝,質(zhì)量保證
 詢(xún)價(jià)
更多PBSS5230QA供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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