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PBSS5350D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PBSS5350D
廠商型號(hào)

PBSS5350D

參數(shù)屬性

PBSS5350D 封裝/外殼為SC-74,SOT-457;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 50V 3A 6TSOP

功能描述

50 V low VCEsat PNP transistor

封裝外殼

SC-74,SOT-457

文件大小

153.86 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-19 12:11:00

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PBSS5350D規(guī)格書詳情

General description

150 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 2500 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ Excellent ruggedness

■ High efficiency

■ Low Rth providing excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation (2500 MHz to 2700 MHz)

■ Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications

■ Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability

■ Internally matched for ease of use

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

■ RF power amplifiers for base stations and multi carrier applications in the 2500 MHz to

2700 MHz frequency range

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PBSS5350D,125

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 2A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-74,SOT-457

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-TSOP

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 3A 6TSOP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEXPERIA/安世
23+
SOT457
6000
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NXP/恩智浦
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