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PBSS5420D-Q中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PBSS5420D-Q
廠商型號(hào)

PBSS5420D-Q

功能描述

20 V, 4 A PNP low VCEsat transistor

絲印標(biāo)識(shí)

D5

封裝外殼

SOT457

文件大小

292.23 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-8 20:00:00

PBSS5420D-Q規(guī)格書詳情

1. General description

PNP low VCEsat transistor in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package.

NPN complement: PBSS4420D-Q

2. Features and benefits

? Very low collector-emitter saturation resistance

? Ultra low collector-emitter saturation voltage

? 4 A continuous collector current

? Up to 15 A peak current

? High efficiency leading to less heat generation

? Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

? Power management functions

? Charging circuits

? DC-to-DC conversion

? MOSFET gate driving

? Power switches (e.g. motors, fans)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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