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PBSS8110Y分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS8110Y
廠商型號

PBSS8110Y

參數(shù)屬性

PBSS8110Y 封裝/外殼為6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 1A 6TSSOP

功能描述

100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

封裝外殼

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

299.37 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-10 18:07:00

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PBSS8110Y規(guī)格書詳情

Features

* SOT363 package

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability IC and ICM

* High efficiency reduces heat generation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS8110Y,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    200mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 250mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-TSSOP

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 1A 6TSSOP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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