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PBSS8510PA分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS8510PA
廠商型號

PBSS8510PA
參數(shù)屬性

PBSS8510PA 封裝/外殼為3-PowerUDFN；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 100V 5.2A 3HUSON
功能描述

100 V, 5.2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
絲印標識

AE
封裝外殼

HUSON3 / 3-PowerUDFN
文件大小

290.47 Kbytes
頁面數(shù)量

16 頁
生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA【安世】

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-21 9:30:00
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PBSS8510PA規(guī)格書詳情

General description

NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability.

PNP complement: PBSS9410PA.

Features and benefits

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability IC and ICM

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

■ Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity

■ Leadless small SMD plastic package with medium power capability

Applications

■ Loadswitch

■ Battery-driven devices

■ Power management

■ Charging circuits

■ Power switches (e.g. motors, fans)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    PBSS8510PA,115

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    340mV @ 260mA，5.2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    95 @ 2A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    150MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-PowerUDFN

  • 供應商器件封裝：

    3-HUSON（2x2）

  • 描述：

    TRANS NPN 100V 5.2A 3HUSON

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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23+
SOT-1061
78676
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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