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PC28F512P30EFA

Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

JS28F512P30BF

MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

JS28F512P30BF

MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

JS28F512P30EF

MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

JS28F512P30EF

MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

JS28F512P30EFA

MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

JS28F512P30TF

MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

JS28F512P30TF

MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

JS28F512P30TFA

NumonyxAxcellP30-65nmFlashMemory

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

PC28F512P30BF

MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    PC28F512P30EFA

  • 功能描述:

    IC FLASH 512MBIT P30 65NM 64BGA

  • RoHS:

  • 類別:

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列:

    Axcell™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    2,000

  • 系列:

    MoBL® 格式 -

  • 存儲器:

    RAM

  • 存儲器類型:

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    16M(2M x 8,1M x 16)

  • 速度:

    45ns

  • 接口:

    并聯(lián)

  • 電源電壓:

    2.2 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼:

    48-VFBGA

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    48-VFBGA(6x8)

  • 包裝:

    帶卷(TR)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MICRON
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原裝正品現(xiàn)貨!支持實單!
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
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存儲器
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MICRON原裝存儲芯片-誠信為本
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MICRON專營原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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更多PC28F512P30EFA供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 15:00:00