PD20015C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PD20015C |
| 參數(shù)屬性 | PD20015C 封裝/外殼為M243；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 40V 2GHZ M243 |
| 功能描述 | RF power transistor, LdmoST family |
| 封裝外殼 | M243 |
| 文件大小 |
155.35 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-2 23:00:00 |
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PD20015C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD20015C晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
Description
The PD20015C is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband commercial and industrial applications. It operates at 13.6 V in common source mode at frequencies of up to 2 GHz. PD20015C boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology.
PD20015C’s superior linearity performance makes it an ideal solution for mobile application.
Features
■ Excellent thermal stability
■ Common source configuration
■ POUT = 15 W with 11 dB gain @ 2 GHz / 13.6 V
■ BeO free package
■ ESD protection
■ In compliance with the 2002/95/EC european directive
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PD20015C
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
2GHz
- 增益：
11dB
- 額定電流（安培）：
7A
- 功率 - 輸出：
15W
- 封裝/外殼：
M243
- 供應(yīng)商器件封裝：
M243
- 描述：
FET RF 40V 2GHZ M243
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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