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PD54008-E分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PD54008-E
廠商型號

PD54008-E
參數(shù)屬性

PD54008-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 25V 500MHZ PWRSO10
功能描述

RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
FET RF 25V 500MHZ PWRSO10
封裝外殼

PowerSO-10 裸露底部焊盤
文件大小

431.29 Kbytes
頁面數(shù)量

28 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-3 8:03:00

PD54008-E規(guī)格書詳情

PD54008-E屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的PD54008-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 7 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. The device boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. Device’s superior linearity performance makes it an ideal solution for portable radio.

Features

■ Excellent thermal stability

■ Common source configuration

■ POUT = 8 W with 11.5dB gain @ 500 MHz/7.5 V

■ New RF plastic package

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    PD54008-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    500MHz

  • 增益：

    11.5dB

  • 額定電流（安培）：

    5A

  • 功率 - 輸出：

    8W

  • 封裝/外殼：

    PowerSO-10 裸露底部焊盤

  • 供應商器件封裝：

    10-PowerSO

  • 描述：

    FET RF 25V 500MHZ PWRSO10

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
18+
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