PD54008-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
PD54008-E |
| 參數(shù)屬性 | PD54008-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 25V 500MHZ PWRSO10 |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| 文件大小 |
822.57 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
29 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體（ST）集團官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-11-2 22:59:00 |
PD54008-E規(guī)格書詳情
PD54008-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。意法半導(dǎo)體（ST）集團制造生產(chǎn)的PD54008-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PD54008-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
500MHz
- 增益：
11.5dB
- 額定電流（安培）：
5A
- 功率 - 輸出：
8W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
10-PowerSO
- 描述：
FET RF 25V 500MHZ PWRSO10
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
STM |
2020+ |
PowerFL |
80000 |
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詢價 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價 | ||
ST |
20+ |
QFN |
65300 |
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ST |
原廠原封 |
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ST |
2024+ |
N/A |
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ST |
22+23+ |
QFN-14 |
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ST |
23+ |
QFN |
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ST(意法) |
23+ |
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ST |
23+ |
原廠封裝 |
13528 |
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詢價 |
