首頁>PD55008STR-E>規(guī)格書詳情
PD55008STR-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
.jpg)
| 廠商型號 |
PD55008STR-E |
| 參數(shù)屬性 | PD55008STR-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| 文件大小 |
501.36 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
25 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2024-12-23 22:30:00 |
PD55008STR-E規(guī)格書詳情
PD55008STR-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD55008STR-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PD55008STR-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
500MHz
- 增益：
17dB
- 額定電流（安培）：
4A
- 功率 - 輸出：
8W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
PowerSO-10RF（直引線）
- 描述：
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2020+ |
POWERSO |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
ST |
2020+ |
POWERSO-10RF |
496 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
2023+ |
10RF-Formed-4 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
2022 |
POWERSO-10RF |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
10RF-Formed-4 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP會員,誠信經(jīng)營，一手貨源，原裝正品可零售！ |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
NA |
3617 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
10RF-Formed-4 |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
原廠原封 |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) |
