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PD55035STR1-E

35 W, 12.5 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Features ?Commonsourceconfiguration ?POUT=35Wwith16.9dBat500MHz,12.5V ?NewRFplasticpackage Description ThedeviceisacommonsourceN-channel,enhancement-modelateralfield-effect RFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialand industrial

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多PD55035STR1-E供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-29 14:02:00

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