PD57002-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
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廠商型號(hào) |
PD57002-E |
參數(shù)屬性 | PD57002-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán);包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 960MHZ PWRSO10 |
功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
封裝外殼 | PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán) |
文件大小 |
374.07 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
23 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-28 10:55:00 |
人工找貨 | PD57002-E價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PD57002-E規(guī)格書(shū)詳情
PD57002-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD57002-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
PD57002-E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
960MHz
- 增益:
15dB
- 額定電流(安培):
250mA
- 功率 - 輸出:
2W
- 封裝/外殼:
PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán)
- 供應(yīng)商器件封裝:
10-PowerSO
- 描述:
FET RF 65V 960MHZ PWRSO10
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
SO-11RF |
260 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
STM原廠目錄 |
24+ |
PowerSO-10RF |
96000 |
全新原裝 |
詢價(jià) | ||
ST |
2024+ |
PowerSO-10RF |
16000 |
原裝優(yōu)勢(shì)絕對(duì)有貨 |
詢價(jià) | ||
ST |
原廠原封 |
36900 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
ST/意法 |
22+ |
SO-10 |
9000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ST |
22+ |
PowerSO10RF (Straight Lead) |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
STMicro. |
23+ |
PowerSO-10RF |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
23+ |
SO-10 |
6500 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十 |
詢價(jià) | ||
22+ |
NA |
163 |
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詢價(jià) |