首頁>PD57006TR-E>詳情

PD57006TR-E 分立半導體產品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 STMICROELECTRONICS/意法半導體

PD57006TR-E參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：PD57006TR-E品牌：ST/意法

只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!

PD57006TR-E是分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商ST/意法/STMicroelectronics生產封裝PowerSO-10RF/PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）的PD57006TR-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    PD57006TR-E

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導體集團

  • 內容頁數(shù)：

    22 頁

  • 文件大?。?/span>

    512.2 kb

  • 資料說明：

    RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    PD57006TR-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    945MHz

  • 增益：

    15dB

  • 額定電流（安培）：

    1A

  • 功率 - 輸出：

    6W

  • 封裝/外殼：

    PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）

  • 供應商器件封裝：

    PowerSO-10RF（成形引線）

  • 描述：

    TRANSISTOR RF POWERSO-10

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐/黃先生

  • 手機：

    13424246946

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82569753

  • 傳真：

    0755-83205202

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路101號華勻1棟5樓B14

相近型號