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PD84006-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PD84006-E
廠商型號

PD84006-E

參數(shù)屬性

PD84006-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 25V 870MHZ PWRSO-10RF

功能描述

Excellent thermal stability
FET RF 25V 870MHZ PWRSO-10RF

文件大小

214.27 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-8 20:00:00

PD84006-E規(guī)格書詳情

PD84006-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD84006-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PD84006-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    870MHz

  • 增益:

    15dB

  • 額定電流(安培):

    5A

  • 功率 - 輸出:

    6W

  • 封裝/外殼:

    PowerSO-10 裸露底部焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    10-PowerSO

  • 描述:

    FET RF 25V 870MHZ PWRSO-10RF

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
23+
NA/
15000
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價
ST/意法半導(dǎo)體
21+
PowerFLAT (5x5)
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16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
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ST/意法半導(dǎo)體
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PowerFLAT (5x5)
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