PD84006-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
PD84006-E |
參數(shù)屬性 | PD84006-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 25V 870MHZ PWRSO-10RF |
功能描述 | Excellent thermal stability |
文件大小 |
214.27 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-8 20:00:00 |
PD84006-E規(guī)格書詳情
PD84006-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD84006-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
PD84006-E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
870MHz
- 增益:
15dB
- 額定電流(安培):
5A
- 功率 - 輸出:
6W
- 封裝/外殼:
PowerSO-10 裸露底部焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
10-PowerSO
- 描述:
FET RF 25V 870MHZ PWRSO-10RF
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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ST/意法 |
23+ |
NA/ |
15000 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
PowerFLAT (5x5) |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價 | ||
ST |
22+ |
DFN |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價 | ||
ST/意法 |
2022 |
DFN |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價 | ||
ST |
原廠原封 |
93480 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
ST |
23+ |
原廠封裝 |
13528 |
振宏微原裝正品,假一罰百 |
詢價 | ||
ST |
18+ |
DFN |
11389 |
全新原裝現(xiàn)貨,可出樣品,可開增值稅發(fā)票 |
詢價 | ||
ST |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量 |
詢價 | ||||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
PowerFLAT (5x5) |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
ST |
2024+ |
PowerSO-10RF |
16000 |
原裝優(yōu)勢絕對有貨 |
詢價 |