PD85006-E_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-意法半導(dǎo)體

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原廠料號:PD85006-E品牌:STMicroelectronics

資料說明:FET RF 40V 870MHZ PWRSO-10RF

PD85006-E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝PowerSO-10 裸露底部焊盤的PD85006-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號:

    pd85006-e

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

  • 資料說明:

    FET RF 40V 870MHZ PWRSO-10RF

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    PD85006-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    870MHz

  • 增益:

    17dB

  • 額定電流(安培):

    2A

  • 功率 - 輸出:

    6W

  • 封裝/外殼:

    PowerSO-10 裸露底部焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    10-PowerSO

  • 描述:

    FET RF 40V 870MHZ PWRSO-10RF

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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