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PD85035STR-E 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 STMICROELECTRONICS/意法半導體

PD85035STR-E參考圖片

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原廠料號：PD85035STR-E品牌：ST/意法

原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十

PD85035STR-E是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商ST/意法/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝N/PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）的PD85035STR-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    PD85035STR-E

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導體集團

  • 內容頁數(shù)：

    15 頁

  • 文件大小：

    384.36 kb

  • 資料說明：

    RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    PD85035STR-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    870MHz

  • 增益：

    17dB

  • 額定電流（安培）：

    8A

  • 功率 - 輸出：

    15W

  • 封裝/外殼：

    PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）

  • 供應商器件封裝：

    PowerSO-10RF（直引線）

  • 描述：

    TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊小姐

  • 手機：

    13430590551

  • 詢價：
  • 電話：

    13430590551

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1078號現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D

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