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PDTA113EE分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PDTA113EE
廠商型號(hào)

PDTA113EE
參數(shù)屬性

PDTA113EE 封裝/外殼為SC-75，SOT-416；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
功能描述

PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW
絲印標(biāo)識(shí)

16
封裝外殼

SC-75 / SC-75，SOT-416
文件大小

235.87 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

19 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA【安世】

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-18 23:00:00
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PDTA113EE規(guī)格書(shū)詳情

Features

* Built-in bias resistors

* Simplifies circuit design

* Reduces component count

* Reduces pick and place costs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    PDTA113EE,115

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    30 @ 40mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    150mV @ 1.5mA，30mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1μA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-75，SOT-416

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SC-75

  • 描述：

    TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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